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DMG4710SSS
3.0
2.5
2.0
1.5
I D = 100mA
20
16
12
T A = 25°C
8
1.0
0.5
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
T A = 125°C
1,000
C iss
C oss
1,000
100
T A = 85°C
100
C rss
10
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
30
1
0
10
20
30
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
8
V DS = 15V
I D = 12.7A
6
4
2
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40
45
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMG4710SSS
Document number: DS32055 Rev. 6 - 2
4 of 6
www.diodes.com
November 2010
? Diodes Incorporated
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